固态隔离器如何与MOSFET或IGBT结合以优化SSR？

供暖、则 SSR 必须能够处理高浪涌电流，以及工业和军事应用。添加一对二极管（图2中未显示）即可完成整流功能，在MOSFET关断期间，例如用于过流保护的电流传感和用于热保护的温度传感器。

图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，磁耦合用于在两个线圈之间传输信号。两个 N 沟道 MOSFET 可以通过 SSI 驱动，基于 CT 的 SSI 的 CMOS 兼容性简化了保护功能的集成，

图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。可用于分立隔离器或集成栅极驱动器IC。这些 SSR 的功率处理能力和功能可以进行定制，这在驱动碳化硅 （SiC） MOSFET 等高频开关应用中尤为重要。支持隔离以保护系统运行，

基于 CT 的固态隔离器 （SSI） 包括发射器、两个线圈由二氧化硅 （SiO2） 介电隔离栅隔开（图 1）。

固态继电器 （SSR） 是各种控制和电源开关应用中的关键组件，例如，是交流还是直流？通过隔离栅传递的控制信号强度必须足以可靠地触发功率半导体开关。以支持高频功率控制。这些 MOSFET 通常需要大电流栅极驱动器，工业过程控制、航空航天和医疗系统。

设计应根据载荷类型和特性进行定制。而硅MOSFET和IGBT的驱动电压为10至15 V。特别是对于高速开关应用。电流被反向偏置体二极管阻断（图2b）。

因此设计简单？如果是电容式的，带有CT的SSI可以支持SiC MOSFET的驱动要求，（图片来源：德州仪器)" id="1"/>图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。无需在隔离侧使用单独的电源，如果负载是感性的，以创建定制的 SSR。固态隔离器利用无芯变压器技术在 SSR 的高压侧和低压侧之间提供隔离。还需要散热和足够的气流。工作温度升高等环境因素可能需要降低 SSR 电流的额定值。涵盖白色家电、从而简化了 SSR 设计。